晶圓指的是矽半導體集成電路製作所用的矽晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓。最近消息了解，Samsung 在晶圓代工方面，負面消息如泉水般湧現，主要負面來源，是部分員工涉嫌偽造和虛報了5nm、4nm、3nm工藝製程的良品率，結果導致 VIP 客戶「高通」，重新使用台積電生產 Snapdragon 8 Gen 1 處理器。在技術上來說，台積電是比 Samsung 領先的，畢竟台積電是全球第一家專業積體電路製造服務（晶圓代工 foundry）企業。
總體來說 Samsung 在 7nm、5nm 及 4nm 節點是落後一些的，為了跟上甚至超越台積電，在 3nm 這個節點上，Samsung 放棄了 FinFET 晶體管技術，選擇全球首發 GAA 晶體管工藝，GAA 將作為一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），這個技術能顯著得增強晶體管性能，主要取代了 FinFET 晶體管技術。而我們可以看到，台積電的 3nm 工藝依然基於 FinFET 工藝，Samsung 真的能憑此趕超嗎？
從 Samsung 給出的說法看來，與 7nm 製造工藝相比，3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 45%以上，功耗降低了 50%，性能提高了約 35%，從表面上看來，要優於台積電 3nm FinFET 工藝。當然，我們不能從表面來作比較，另外看來，Samsung 在 3nm 晶圓量產上便就是個問題，曾經則2021年的時候，Samsung 就宣布要量產了，按目前看來最快也是在今年了，不這樣的話我們怎麼能看到 Samsung 打臉自己呢？著節目效果是真的會做啊。而首發的是 3GAE 低功耗工藝，高性能的 3GAP 工藝至少要2023年了。
據韓媒消息了解，Samsung 已經準備在韓國平澤市的 P3 工廠開工建設 3nm 晶圓廠了，將會在年中動工，要是能如期開工的話，今年的 3GAE 工藝將能進行小規模試產，大規模量產還得看前期試產的結果了，估計得等到明年。跟台積電的 3nm 工藝差不多，兩家都因為種種問題延期量產 3nm 工藝了。
