Samsung 集團算的上是高新科技業的老大哥了，所以自然而然，其一舉一動都會備受關注。
12月21日，Samsung 電子宣布，已成功開發出其首款採用 12nm 級工藝技術製造的 16GB DDR5 DRAM，其性能有望進一步突破。
據了解，這一技術突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現的，其結合了先進的多層極紫外（EUV）光刻技術。
不僅如此，新款 DRAM 擁有 Samsung 最高的 DDR5 Die 密度（Die density），可使晶圓生產率提高20%，這大大提高了效率，並且處在基於 DDR5 最新標準，Samsung 12nm 級 DRAM 將解鎖高達 7.2Gbps 的速度，這意味著一秒鐘內處理兩部 30GB 的超高清（UHD）電影。
Samsung 高管提到「Samsung 12nm級 DRAM 將成為推動整個市場廣泛採用 DDR5 DRAM 的關鍵因素。憑藉卓越的性能和能效，我們希望新款 DRAM 能夠成為下一代計算、數據中心和 AI 驅動系統等領域更可持續運營的基礎。」
Samsung 的這款 DRAM 將會於明年量產，並且其還計劃將這一基於先進 12nm 級工藝技術的 DRAM 產品擴展到更廣泛的市場領域。
