7月29日消息。據外媒報道， Samsung 最近開始出貨其第一代 3nm GAA 晶片，然而智能手機處理器的供應商們並沒有迅速被其吸引，而是聲稱繼續與台積電接洽未來訂單。事後 Samsung 在京畿道華城工廠V1 生產線，舉行了採用下一代 GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術的 3nm 代工產品發貨儀式。 Samsung 高管表示，與原來採用的 FinFET 的 5nm 工藝相比，初代 3nm GAA 制程節點在功耗、性能和面積（PPA）方面有不同程度的改進，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。
雖然 Samsung 此次信心滿滿，但事實上 3nm GAA 工藝缺乏客戶，沒有真實的訂單量，更重要的是，平時熱衷採用新工藝的移動 SoC 暫時都沒有選用此次 Samsung 3nm GAA 工藝。
有關部門瞭解到， Samsung 可能會使用 3nm 工藝製造用於 Exynos 2300，或者用於明年的 Galaxy S23 系列。不過有報道稱，由於表現不達預期，Galaxy S23 系列可能全部採用高通的方案來解決。此外，Google 第三代 Tensor 處理器也可能採用 Samsung 3nm 工藝，將用於 Pixel 8 系列，但目前還沒有確切的消息。
近年來 Samsung 的其中一個大客戶高通，此前由於 5nm 製程良率不佳，高通在 Snapdragon 8 Gen 1 失利後，轉而尋求台積電來代工 Snapdragon 8+ Gen 1。 Samsung 對高通造成了相當大的打擊，以至於開始更換合作夥伴了。據 Wccftech 報道，高通對 Samsung 第一代 3nm GAA 工藝興趣不大，不過也有留意其進展情況，隨時進行評估，到第二代 3nm GAA 工藝可能會參與進來。
據瞭解， Samsung 第二代 3nm GAA 工藝將會在 2024年量產。 Samsung 表示，第二代 3nm GAA 工藝將加入 MBCFET 架構，性能表現將提升不少。雖然， Samsung 沒有分享 4nm 節點的統計差異，但與該公司 5nm 工藝相比，第二代 3nm GAA 仍有望降低多達 50% 的功耗、提升 30% 性能、以及減少 35% 的晶片面積佔用。大家都知道 Samsung 上一代 5nm 工藝良品率比較低，如果此次 3nm 工藝良品率能提升一下，相信能夠得到高通的重新青睞。
