在今年底前 , 高通已經緊接推出了 Snapdragon 821 , 成為現時最強的處理器 , 然而大家都知道高通的路數 , S821 不過是一個過度產品 , 主要為 10月 至 明年 3月 這段時間推出的旗艦機而準備 , 在性能上 S820 與 S821 沒差多少 , 而外媒就報導 Snapdragon 830 將於明年初推出 , 還會帶來 Quick Charge 4.0 .
根據報導 , Quick Charge 4.0 將會是更大電壓的充電方式 , Quick Charge 3.0 為 18W , 而 Quick Charge 4.0 將會把公率推高至 28W . 而輸出規格為 5V/4.7A-5.6A、9V/4A , 電壓大幅提高(Quick Charge 3.0 為5V2.5A、9V2A、12V1.5A) , 為了在高壓充電下電池更耐用還會加入 INOV 智能電壓技術 , 令充電時間更快 , 亦移多了電池隱憂 .
