俄羅斯計劃開發一種新型的極紫外（EUV）光刻機，該技術以更低的成本和更簡便的製造過程為賣點。俄羅斯的新型光刻機將採用 11.2nm 的激光光源，與 ASML 公司採用的 13.5nm 標準不同。這一差異意味著俄羅斯必須建立自己的光刻技術生態系統，這可能需要長達十年或更久的時間。
此外，現有的電子設計自動化（EDA）工具也需要更新，以適應新的 11.2nm 光源。雖然這些工具能夠完成基本的設計步驟，但對於曝光過程中的關鍵步驟，如光罩數據準備、光學鄰近校正（OPC）和解像度增強技術（RET），則需要進行校准或升級，以適應新的制程模型。
Chkhalo教授指出，11.2nm 波長能夠提供比現有技術高出20%的解像度，這不僅能夠實現更精細的圖案製作，還能降低光學元件的成本。此外，這種波長還能顯著減少光學元件的污染，延長關鍵部件如收集器和保護膜的使用壽命。
俄羅斯的光刻機還計劃使用硅基光阻劑，預計在較短波長下將有更好的性能。儘管這種光刻機的產量僅為 ASML 裝置的 37%，光源功率為 3.6kW，但其性能足以滿足小規模處理器生產的需求。
俄羅斯的光刻機開發計劃分為三個階段：
第一階段將集中於基礎研究、識別關鍵技術和初步元件測試；
第二階段將製造每小時能處理 60片 200mm 晶圓的原型機，並將其整合到國內的處理器生產線中；
第三階段的目標是開發一套每小時能處理 60片 300mm 晶圓的系統，供工廠使用。
