Samsung 在提高其 3nm GAA 工藝良品率方面遭遇的困難和付出的努力眾所周知，但最新的消息稱。在前幾日，知名數碼博主 @Tech_Reve 發佈推文爆料稱，Samsung 3nm 工藝在初期的良率僅為10-20%，在最近已經提升到了3倍多。
雖然有了巨大的進步，但跟採用 FinFET 技術的台積電相比，其良率還是落後於台積電。
[Exclusive] Samsung’s 3nm Yield-related News
Currently, Samsung’s 3nm yield, which initially hovered around 10-20%, has recently improved by over threefold.
Of course, this figure remains lower compared to TSMC, which still utilizes FinFET technology.
However, Samsung has high…
— Revegnus (@Tech_Reve) March 22, 2024
據知情人士透露，Samsung 對第二代 3nm 工藝寄予了厚望，並可以跟台積電的 N3P 工藝在技術、性能、和面積（PPA）指標上勢均力敵。相比較於 4nm FinFET 技術，Samsung 第二代 3nm 工藝在能效和邏輯面積提高了 20-30%。
根據我們之前的報道，在今年下半年，Samsung 將開始對第二代 3nm 工藝進行量產。Samsung 電子 DS 部門下屬 Foundry 業務部負責人崔時榮稱，Samsung 的第二代 3nm 和首代 2nm 是兩個不同的工藝，在此之前，Samsung 收到日本 AI 企業 Preferred Networks 的 2nm AI 處理器訂單，也是 Samsung 的首個 2nm 訂單。
Samsung 必須對良品率進行進一步優化，因為早前有報道稱，Samsung 需要將良品率提高到 70%，才能重新贏得高通等老客戶的信任。
Samsung 的處理器技術逐漸失去了往日的輝煌，而對於整個半導體行業來說，這場技術競賽的勝負仍未可知，各大晶圓廠仍需不斷努力創新，以應對未來市場的挑戰。
