近期，ASML 產品營銷總監 Mike Lercel 向外界分享了 EUV（極紫外）光刻機的最新進展。
據了解，目前 ASML 的主力出貨 EUV 光刻機分別是 NXE：3400B 和 3400C 兩款。目前這兩款機型的數值孔徑（NA）均為0.33，其中更新一款的 3400C 的可用性已經達到 90% 左右。
根據 ASML 的猜測，到今年年底，NXE：3600D 將會開始進行交付。該設備的匹配套精準度提升了，在 30mJ/cm2 下的晶圓通量達到 160片，相比 3400C 提高18%，將會成為未來台積電和 Samsung 3nm工藝最為主要的設備。
除此之外，ASML 還公佈了未來的三代光刻機研發計劃，了解到三款機型的型號分別是NEXT、EXE：5000 和 EXE:5200。製作工藝從 EXE：5000 為節點，將數值孔徑提高到0.55。
0.55NA 比 0.33NA 有著巨大的提升，包括更高的對比度，圖像曝光成本更低等等，是未來發展的趨勢。
由於目前矽片、曝光潔淨室已經逼近物理極限，現在的 5nm/7nm 光刻機變得十分精密，設備零件多達10萬+零件、體積為 40個貨櫃。據悉 1nm 的光刻機體積要比現在 3nm 的多出一倍，簡直難以想像。
由於光刻機擁有非常多的零件，需要高精度的裝配，導致光刻機從發貨到配置/培訓的整個流程需要長達兩年時間。按照這個來參考推算，預計0.55NA 的大規模應用得到2025~2026年了。
