近期，ASML 與光學合作夥伴蔡司於《微納米圖案化、材料與計量期刊》發表同行評審論文，公布目前最強光刻機 High NA EUV 迭代 —— Hyper NA EUV 光刻機。論文表示，該設備預計約 10年後準備完成，可以實現 5nm 的單次曝光。
Hyper NA 的技術核心是把數值孔徑從 0.55 提升至至少 0.75。數值孔徑越大，意味著光刻機收集光的能力越強，能實現越小的電路特徵。
論文介紹，Hyper NA 可以直接印製小至 5nm 的電路特徵，相比目前的 High NA EUV 設備縮小約三分之一。
值得一提的是，Hyper NA 的技術復用程度較高，能最大化沿用現有基礎設施，直接復用現有 EUV 光源。蔡司可以製作精度足夠的反射鏡，設備的尺寸僅僅比現有 High NA 機台略大，可以輕鬆放置至原先的設備位置，無需重新搭建整套光刻生態。
值得一提的是，雖然 ASML 已開始研發，但還未承諾投入生產。論文只表示，可以利用現有光源，改用自由電子激光器的話，照明系統設計亦不會變動。
產業量產布局方面，目前 Intel 開始將 High NA 用於量產，Samsung 和 SK 海力士則計劃 2028 年跟進，台積電規劃 2030 年採用。按照規劃，未來數年內 High NA 仍然是先進製程的主力，主要滿足 2035 年之後的產業需求。
此次論文對於 xLight 等美國初創企業具備參考意義。當前 xLight 正在研發自由電子激光光源，Tesla CEO 馬斯克暗示會在德州 Terafab 處理器廠採用該技術。除此之外，Substrate 正在探索 X 光光刻路線，企圖繞開 ASML 的 EUV 技術壁壘。
