在 FMS 2025 的技術發佈環節， Samsung 電子正式宣佈重啓七年前曾推出的高階 NAND 閃存技術 Z-NAND。此次技術升級設定了激進目標：將性能提升至傳統 NVMe SSD 的 15 倍，同時實現最多 80% 的功耗降低，旨在精准匹配 AI 大模型訓練、實時數據處理等場景的存儲需求。
作為當年對標 Intel Optane 的創新產品，初代 Z-NAND 曾憑借獨特設計嶄露頭角。其採用改良的 48 層 V-NAND 架構，以 SLC 模式運行，通過將數據頁大小壓縮至 2–4 KB（普通 SSD 通常為 8–16 KB），實現了小數據塊的高速讀寫，當時性能已達到傳統 SSD 的 6–10 倍。與 Intel基於全新 3D XPoint 架構的方案不同，初代 Z-NAND 本質是基於成熟 NAND 技術的深度優化版本，兼具性能與成本優勢。
新一代 Z-NAND 將延續「DRAM 與 SSD 之間新型存儲層」的戰略定位，重點攻克 AI GPU 場景的低延遲瓶頸。 Samsung 為此研發的 GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）技術，類似微軟 DirectStorage 的底層原理，可讓 GPU 直接訪問存儲數據，大幅減少傳統架構中的數據中轉延遲。隨著 AI 計算對存儲吞吐量的需求呈指數級增長， Samsung此次技術重啓意義深遠。若 15 倍性能目標順利達成，新一代 Z-NAND 將為 AI 訓練集群、超算中心等場景提供關鍵支撐，推動存儲技術向更高效能時代邁進。
