全球半導體設備領軍企業ASML全力推進下一代 Hyper NA EUV 光刻機研發，為未來十年昌片產業築牢根基。
ASML 內部人員 Jos Benschop透露，公司正攜手獨家光學夥伴蔡司（Carl Zeiss），共同開發單次曝光便能達到 5nm 解像度的 EUV 光刻機，以滿足 2035年後的先進制程需求。
當前 ASML 頂尖光刻機單次曝光解析度為 8nm，而常規設備需多次曝光才能達到類似精度，導致效率降低且良率受限。
Benschop 透露，ASML 與蔡司正加速推進設計研究，為了將數值孔徑（NA）提升至0.7以上，不過該設備的具體商用日程仍明確。
作為衡量光學系統聚光與聚焦效能的核心參數，數值孔徑（NA）直接影響電路圖案在晶圓上的轉印精度——NA越大、波長越短，則解析度越高。當前標準 EUV 光刻機 NA 為0.33，最新 High NA EUV 已經突破到 0.55，而 ASML 正朝 0.7 NA 的「超高NA（Hyper NA）」的目標發展。
