哈佛大學依據《彭博法律》的詳細資料及路透社的最新報道，本週一，已經向美國德克薩斯州東區地方法院提出法律指控，指控 Samsung 電子在微處理器設計與 RAM 晶片生產上存在兩項專利侵權行為。
起訴書中明確指出，哈佛大學化學系的 Roy G. Gordon 教授等人共同研發出了這兩項專利，而哈佛大學作為專利的受讓方，享有這些專利的完整權利。
這兩項分別命名為「用於銅互連的氮化鈷層及其形成方法」與「氮化鎢的氣相沈積」的專利，其核心在於含鈷、鎢薄膜的製備，所涵蓋的薄膜技術對於生產電腦、手機等裝置的核心組件具有至關重要的作用。
哈佛大學提出，Samsung 電子在代工高通 Snapdragon 8 Gen 1 處理器等處理器時，涉嫌未經授權使用了與哈佛大學所擁有的氮化鈷薄膜制備技術相關的專利，如 Samsung Galaxy S22 智能手機等產品。而 Samsung 在生產 LPDDR5X 等 RAM 時，未經其同意便使用了鎢層沈積專利中至少一項權利要求的所有技術特徵，這一未經授權的使用行為直接涉及到了 Samsung Galaxy Z Flip5 摺屏手機所搭載的 LPDDR5XRAM。
起訴書中，哈佛大學嚴肅提出，Samsung 電子需即刻終止任何侵犯其專利權的活動，並支付相應的金錢賠償，儘管具體賠償金額尚未透露。
