韓媒 The Elec 17 日的報道，Samsung 電子預計其 2024年發佈的 2nm 先進製程將大幅增加 EUV 曝光層數，相比 3nm 工藝提升超 30%，預計層數將變成「20 至 30 層區間後半段」。
報道強調，產品性質差異導致同節點曝光層數不固定。目前，Samsung 3nm 工藝 EUV 曝光層均數約為 20 層。
對於 2027 年預定的 SF1.4 制程，預期 EUV 曝光層將突破 30 層。
制程進步促使晶體管尺寸要求更加嚴格，EUV 光刻技術替代傳統 DUV，確保更高精度，促進晶體管密度攀升，實現更高集成度。
在這種情況下，先進邏輯代工龍頭積極採購 ASML EUV 設備。以台積電為例，今明兩年將引進超 60 台 EUV 光刻機，預計至 2025年底總量將突破 160 台。
DRAM 行業也緊跟步伐，第六代 20~10nm 工藝（即 1c nm、1γ nm）中，Samsung 採用 6~7 個 EUV 層，SK 海力士應用 5 層，美光在此節點首次引進 EUV 技術。
