由於半導體工藝越來越難，在 10nm 工藝以下的每次節點開發都十分不易，這導致了不少人覺得摩爾定律開始放緩甚至失效。
按照摩爾定律，未來 10年晶片要實現 1nm 以下節點，這需要更加先進的技術才能實現。目前 Intel 率先在 22nm 節點進入 FinFET 晶體管，而在 20A、18A 節點使用了 RibbonFET 和 PowerVia 兩項新技術，但這已經十分接近技術的極限，要想再有所突破就得改變晶體管結構，也就是開發 Intel 的全新 2D TMD 材料技術。
2D TMD 材料技術的 2D 代表的是單層原子組成的結晶體，而 TMD 則是過渡金屬二硫化物的簡稱。其中過渡金屬二硫化物是基礎，具體包括二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）和二硒化鎢（WSe2）等材料，可以實現小於 1nm 的溝槽厚度，提升帶隙和遷移率，讓晶片更具高性能和低功耗。
新技術材料的開發十分漫長，Intel 近期宣布與歐洲 CEA-Leti 達成合作協議，開發 300mm 晶圓的 2D TMD 層轉移技術。歐洲 CEA-Leti 是該技術的專家，可為 Intel 提供專業的鍵合及層轉移技術支援。
目前 Intel 的目標是在 2030年之後繼續擴展摩爾定律，也就是通過新技術進一步提升晶體管密度，從而提升晶片性能，降低成本功耗等。
