儘管這幾年台積電在先進製程工藝上的表現的還蠻出色的，但是 Samsung 似乎不滿足現狀，在拼命的追趕。 Samsung 曾表態要用 5年時間超台積電，實現這個目標就離不開先進工藝。
Samsung 表示將在 6月11日到16日於日本舉行的超大規模集成電路研討會（VLSI Symposium）上，公佈其新一代製程工藝，即第二代 3nm 和第四代 4nm。
Samsung 的 3nm 工藝很激進，相比台積電 2nm 工藝才會轉向 GAA 晶體管的保守，Samsung 在第一代 3nm 工藝上就使用了 GAA 晶體管技術，而且是 MBCFET 多橋通道場效應晶體管，被稱為 SF3E，也就是 3GAE 工藝。
此前，Samsung 的 4nm 口碑不佳，代表處理器 Exynos 2200 和 Snapdragon 8 Gen1/ Snapdragon 7 Gen1 等都出現了發熱、高頻低能等問題，遠不如同期的台積電 4nm。但這次宣布的是 SF3 工藝，也就是之前的 3GAP 高性能工藝，Samsung 提到該工藝相 SF4 (4nm LPP）工藝，在相同功耗及晶體管密度下速度提升22%，或者功耗降低 34%，面積縮小 21%。這個提升的幅度還是蠻不錯的。
SF3 的潛在產品據說會是 Exynos 2500 和 Snapdragon 8 Gen4，最快 2024年見面。
再往後還有 2nm 節點的 SF2、SF2P 工藝，2027年甚至連 1.4nm 節點的 SF1.4 工藝也規劃好了。
至於第四代 4nm，名為 SF4X，號稱比 SF4（第二代4nm）性能提升10%、能效提升23%，主要面向高性能計算場景，看來有望爭奪 NVIDIA 和 AMD 的訂單。
