據前幾天 Samsung 半導體業務高管透露，說他們準備用5年時間超越台積電，只有擁有先進的工藝才能實現這個目標，而全球首發 3nm GAA 工藝 Samsung 就已經在去年6月份發布了，現在該公司正在研發第二代 3nm 工藝，並估計在2024年開始量產。
Samsung 的 3nm工藝很激進，相比台積電 2nm 工藝才會轉向 GAA 晶體管的保守。 Samsung 的 3nm工藝被稱為 SF3E，也就是 3GAE 工藝，是因為 Samsung 的第一代工藝就已使用 GAA 晶體管技術，而且還是 MBCFET 多橋通道場效應晶體管。
這一次， Samsung 宣布了 SF3 工藝，可以說是之前的 3GAP 高性能工藝， Samsung 表示 SF3 工藝跟SF4（4nm LPP）工藝相比，它們在同樣的功耗、同樣的晶體管密度下，同樣提高 22% 的速度、減少 34% 的功耗、或縮小 21% 的面積。
這是一個很大的進步，但是 Samsung 這是對二代 3nm 與 4nm 進行比較，並沒有直接說出這兩代 3nm 工藝之間的區別。
按照 Samsung 發布的生產計劃，在2024年開始準備大規模生產SF3工藝，隨後將於在2025年開始大規模生產增強版的 SF3P，也就是 3GAP+。
之後就是 2nm 節點的 SF2、SF2P 工藝，甚至連 2027年生產 1.4nm 節點的 SF1.4 工藝也規劃好了。
