Samsung 作為全球半導體技術的領導者，已經正式官宣使用 3nm 工藝節點製造 GAA 環柵晶體管晶片。3nm 工藝對比現有商用 5nm 工藝，體積減少 16% ，功耗降低 45% ，性能提升 23% 。
據 Samsung 的介紹，首批 GAA 晶片選擇的是多橋通道 FET（簡稱 MBCEFT）技術製造，可以通過下調電壓水平來提升能源效率，增加驅動電流提升性能。最新的 3nm GAA 晶體管技術將在未來應用於高性能、低功耗計算等領域。
Samsung 電子總裁兼代工業務負責人 Siyoung Choi 博士表示「通過展示業內領先的下一代晶片製造工藝，Samsung 希望在高 K 金屬柵極、FinFET 和 EUV 之外，通過 3nm MBCEFT 工藝來繼續保持競爭優勢。期間 Samsung 將保持積極創新，並建立有助於加速實現技術成熟的流程。」
Samsung 在 3nm 工藝上選擇了自主的專有技術，擁有更寬的通道。這讓 Samsung 有能力調節 3nm GAA 納米片的通道寬度，滿足不同客戶對於功耗與性能的要求。更加自由的選擇可提升設計技術的協同優化（DTCP）能力，提升工藝的功耗、性能和面積（PPA）等方面的優勢。
要知道，Samsung 的 5nm 工藝對比高通來說存在許許多多的不足之處，此次率先推出的 3nm 工藝有望實現逆襲。據介紹，Samsung 初代的 3nm GAA 工藝相比現有 5nm 工藝減少 16% 的面積和 45% 的功耗，提升 23% 的性能。第二代的 3nm 工藝進一步提升，可減少 35% 的面積，降低 50%的功耗，提升 30% 的性能。
其實早在 2021年 3季度開始，Samsung 電子就已攜手 Ansys、Cadence 等先進代工生態系統（簡稱 SAFE）合作夥伴進行著開發與運用的準備，推進工藝的完善，將其盡快運用於生活之中。
