據韓國日報6月28日的消息, Samsung 將於6月30日宣布量產 3nm 工藝,這意味著 Samsung 將在新一代工藝節點上超越台積電,台積電預計今年下半年才會量產 3nm 工藝。與 3nm 工藝有關的具體詳情暫時沒公佈,不過,可以知道的是之前 Samsung 被質疑的良率問題應該已經解決, 韓國分析師、 HMC 投資證券公司研究中心主管 Greg Roh 日前透露稱, Samsung 的 3nm 工藝良率提升速度遠高於市場預期、新增客戶速度相當快。

根據他的數據,我們可以推測, Samsung 晶圓代工業務將有 40%左右的增長、高於業界整體 25%的增幅水平。

從 Samsung 去年公佈的資料來看, 3nm 節點分為 3GAE 及 3GAP,3GAE 主要是 Samsung 自己用,3GAP 是面向外部代工客戶,並且是首次使用 GAA 晶體管。

根據 Samsung 的說法,3nm GAA 技術與 7nm 製造工藝相比, 3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 45% 以上,功耗降低了50% ,性能提高了約 35% ,從這些參數上來說, 3nm GAA 技術優於台積電 3nm FinFET 工藝。

 

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