DRAM 工藝與邏輯工藝一樣,在20nm節點開始漸漸陷入難以製造的問題。 Samsung 作為全球的 DRAM 一哥,一直走在技術研發的前列,但在面對新一代 DRAM 技術的研發上陷入困境,近期甚至有報導稱 Samsung 的 13nm 工藝 DRAM 已宣告失利。
目前 Samsung 的 DRAM 工藝是最先進的,在2020年率先研發出 1z 工藝 DRAM ,大概是在 15nm 級別工藝。隨後在2021年宣告研發成功 1a 工藝 DRAM ,換算下來是在 14nm 級別工藝,還是首次使用了 EUV 光刻工藝。
在往後是 1b 工藝,大概在 12-13nm 級別工藝。 Samsung 於去年宣布成立專門的研發團隊進行攻克,但近期有消息稱 Samsung 已經停止了相關研發,意味著 13nm 級別工藝 DRAM 技術研發被間接承認失敗。
Samsung 的舉動是否代表 DRAM 工藝會在 14nm 之後進入停滯呢? Samsung 表示會對研究方向進行探討,似乎還在努力研究其可能性。當下只知道在 14nm 之後的研發工作會十分困難,很可能兩年時間都無法推前 1nm 的工藝。
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