DRAM 工藝與邏輯工藝一樣,在20nm節點開始漸漸陷入難以製造的問題。 Samsung 作為全球的 DRAM 一哥,一直走在技術研發的前列,但在面對新一代 DRAM 技術的研發上陷入困境,近期甚至有報導稱 Samsung 的 13nm 工藝 DRAM 已宣告失利。

DRAM 工藝從 20nm 節點開始就使用了不同的斷代方法,此前使用的是1x、1y、1z工藝,後來有了1a、1b、1c工藝。雖然是這麼說,但 Samsung、SK Hynix 和美光三大 DRAM 巨頭的實際工藝卻不完全符合,有時候公佈的是採用數字+nm 進行命名,所以現在的 DRAM 工藝命名存在一些混亂。

目前 Samsung 的 DRAM 工藝是最先進的,在2020年率先研發出 1z 工藝 DRAM ,大概是在 15nm 級別工藝。隨後在2021年宣告研發成功 1a 工藝 DRAM ,換算下來是在 14nm 級別工藝,還是首次使用了 EUV 光刻工藝。

在往後是 1b 工藝,大概在 12-13nm 級別工藝。 Samsung 於去年宣布成立專門的研發團隊進行攻克,但近期有消息稱 Samsung 已經停止了相關研發,意味著 13nm 級別工藝 DRAM 技術研發被間接承認失敗。

Samsung 的舉動是否代表 DRAM 工藝會在 14nm 之後進入停滯呢? Samsung 表示會對研究方向進行探討,似乎還在努力研究其可能性。當下只知道在 14nm 之後的研發工作會十分困難,很可能兩年時間都無法推前 1nm 的工藝。

 

_______

Qooah 現已登陸 MeWe,立即 Follow:https://mewe.com/p/qooah

更多平台立即 Follow:Qooah IG (@qooah)Qooah YouTube,八掛產品發佈會現場,睇盡靚靚 Show Girls