DRAM 工藝與邏輯工藝一樣，在20nm節點開始漸漸陷入難以製造的問題。 Samsung 作為全球的 DRAM 一哥，一直走在技術研發的前列，但在面對新一代 DRAM 技術的研發上陷入困境，近期甚至有報導稱 Samsung 的 13nm 工藝 DRAM 已宣告失利。
DRAM 工藝從 20nm 節點開始就使用了不同的斷代方法，此前使用的是1x、1y、1z工藝，後來有了1a、1b、1c工藝。雖然是這麼說，但 Samsung、SK Hynix 和美光三大 DRAM 巨頭的實際工藝卻不完全符合，有時候公佈的是採用數字+nm 進行命名，所以現在的 DRAM 工藝命名存在一些混亂。
目前 Samsung 的 DRAM 工藝是最先進的，在2020年率先研發出 1z 工藝 DRAM ，大概是在 15nm 級別工藝。隨後在2021年宣告研發成功 1a 工藝 DRAM ，換算下來是在 14nm 級別工藝，還是首次使用了 EUV 光刻工藝。
在往後是 1b 工藝，大概在 12-13nm 級別工藝。 Samsung 於去年宣布成立專門的研發團隊進行攻克，但近期有消息稱 Samsung 已經停止了相關研發，意味著 13nm 級別工藝 DRAM 技術研發被間接承認失敗。
Samsung 的舉動是否代表 DRAM 工藝會在 14nm 之後進入停滯呢？ Samsung 表示會對研究方向進行探討，似乎還在努力研究其可能性。當下只知道在 14nm 之後的研發工作會十分困難，很可能兩年時間都無法推前 1nm 的工藝。
