台積電作為目前全球最大最先進的晶圓代工廠,不少晶片均由它來代工生產。台積電當前在 7nm 和 5nm 節點上領先 Samsung 等對手,按照規劃,未來台積電將會加快腳步,在明年實現 3nm 工藝量產,進軍 2nm 工藝。

按照台積電的規劃,在未來三年將會投資 1000億美元,其中耗資做多的莫過於研發工藝製程。對於研發 2nm 工藝,台積電在去年稱已經取得了重大的進展,進度比預期要好,只是當時停留在進行技術探索,了解到了技術的可行性。

目前台積電的 2nm 工藝正式進入了研發階段,開始將重點轉向了測試載具設計、光罩製作及矽試產等方向。台積電透露,在 2nm 工藝上,將會放棄當前的 FinFET 晶體管結構,轉向 GAA 環繞柵極結構。對比 Samsung 在 3nm 節點棄用 GAA 晶體管的做法,不知屆時 Samsung 和台積電的 GAA 晶體管結構孰優孰劣。

為了突破 2nm工藝節點,EUV 光刻是最為主要的技術難點。當下 EUV 工藝存在不少問題,會嚴重影響量產的穩定性和良品率,需要進一步研究並改善。

目前台積電的 2nm 工廠正在起步,有爆料稱台積電有望在 2023年試產 2nm 工藝,然後 2024年實現量產。

 

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