近期,ASML 產品營銷總監 Mike Lercel 向外界分享了 EUV(極紫外)光刻機的最新進展。

據了解,目前 ASML 的主力出貨 EUV 光刻機分別是 NXE:3400B 和 3400C 兩款。目前這兩款機型的數值孔徑(NA)均為0.33,其中更新一款的 3400C 的可用性已經達到 90% 左右。

根據 ASML 的猜測,到今年年底,NXE:3600D 將會開始進行交付。該設備的匹配套精準度提升了,在 30mJ/cm2 下的晶圓通量達到 160片,相比 3400C 提高18%,將會成為未來台積電和 Samsung 3nm工藝最為主要的設備。

除此之外,ASML 還公佈了未來的三代光刻機研發計劃,了解到三款機型的型號分別是NEXT、EXE:5000 和 EXE:5200。製作工藝從 EXE:5000 為節點,將數值孔徑提高到0.55。

0.55NA 比 0.33NA 有著巨大的提升,包括更高的對比度,圖像曝光成本更低等等,是未來發展的趨勢。

由於目前矽片、曝光潔淨室已經逼近物理極限,現在的 5nm/7nm 光刻機變得十分精密,設備零件多達10萬+零件、體積為 40個貨櫃。據悉 1nm 的光刻機體積要比現在 3nm 的多出一倍,簡直難以想像。

由於光刻機擁有非常多的零件,需要高精度的裝配,導致光刻機從發貨到配置/培訓的整個流程需要長達兩年時間。按照這個來參考推算,預計0.55NA 的大規模應用得到2025~2026年了。

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