華為面臨著美國的禁令時，作為中國大陸地區最大的晶片製造商中芯國際一度被寄予厚望，但中芯國際也是要受到美國禁令的約束的。不過中芯國際回應已向美方申請繼續為華為供貨。近日從中芯國際投資者與該公司在互動平台上個的問答引起新的熱議，我們從中可以知道中芯國際目前在晶片工藝上有了很大的改善。
9月1日投資者在互動平台提問中芯國際：目前公司 14nm 已經量產， N+1 代晶片進入客戶導入階段，可望於 2021 年進入量產，以上新聞報導的信息是否屬實？次日，中芯國際便作出回應稱，公司第一代 FinFET 14nm 已於 2019 年四季度量產；第二代 FinFET N+1 已進入客戶導入階段，可望於 2020 年底小批量試產。
FinFET 即鰭式場效晶體管，是加州大學伯克利分校胡正明教授發明的，該工藝解決了傳統的平面場效應管的尺寸已經無法縮小的難題，並可以改善電路控制並減少漏電流，縮短晶體管的閘長。得益於 FinFET 的發明，半導體製程從 22nm 一直改進並且已經突破到了 5nm ，而中芯國際也是受益者之一，在 2019 第四季度財報會議上，梁孟松博士透露了中芯國際下一代 N+1 工藝和 14nm 相比，性能提升了 20% ，功耗降低了 57% ，邏輯面積縮小了 63% ， SoC 面積減少了 55% 。而 N+1 和 7nm 相比，唯一區別在於性能方面， N+1 工藝的提升較小，市場基準的性能提升應該是 35% 。
而作為中芯國際 CEO 的趙海軍博士稱， 14nm 的營收將在今年繼續穩步上升， 14nm 產能也將隨著中芯南方 12吋厂的產能爬坡而增長。
