高通 Snapdragon 810在推出以來一直被傳有過熱問題，儘管合作夥伴LG澄清沒有這回事，但也無阻外謀 Ars Technica 去追尋原因。Ars Technica 找來三星 Exynos 7420 和 高通 Snapdragon 810一較高下，成績立即高下立見。
為了公平測試，Ars Technica 請來手機測試軟件 GeekBench 3 的開發公司 Primate Labs 到場幫手。測試手機分別有搭配 Exynos 7420 的Samsung Galaxy S6 和 Snapdragon 810 的 LG G Flex 2。 測試時間為 15分鐘並鎖定 big核心（即4粒A57核心）運行。由以上結果可以清楚見到用 Snapdragon 810 的 LG G Flex 2 只有頭 60秒上過1.9GHz 而且持久力嚴重地低，其後時間只能以900MHz-1.4GHz頻率運行，甚至出現關閉big核心情況。相反 Exnyos 7420 的 Samsung Galaxy 6 就大大不同，頻率雖然不能長時間保持2.1GHz，但大部分時間都能以1.5GHz運行本測試，比 Snapdragon 810表現強得多！
一樣核心，不一樣結果
2顆SoC都是ARM A57＋A53架構 4+4核心，同樣的設計，但成績為何如此不同？問題在於工藝之上！Samsung Exynos 7420用上自家14nm FinFET制程; Snapdragon 810只用上台漏積電的20nm制程，比Samsung的足足慢了一年．再者，早在Cortex A15年代本應已上20nm，但最後用了28nm，令發熱問題十分嚴重，包括Nvidia 的Tegra 4要加上風扇才能正常運行，而且令整個行業的發展遲了足足一年，所以大家上年見到最多的都是 高通自家研發核心S80X系列，就是這個原因。 較早之前，有傳高通將會將自家研發 Snapdragon 820的 Kryo 64bit 核心交給三星代工，希望利用 14nm FinFET 制程優勢再加上自家設計核心去提升性能和降低溫度，挽回其他廠商下半年訂單，三星會否願意與高通合作，為大家帶來更快更穩定的SoC，我們拭目以待吧！
以下是Ars Technica做其他測試，當中包括同樣使用 Snapdragon 810 的HTC M9，有興趣可以去了解更多。
